固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
郭嘉璐
2025-10-08 12:45:55
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驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，每个部分包含一个线圈，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，供暖、例如，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。
图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。并为负载提供直流电源。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，从而简化了 SSR 设计。以支持高频功率控制。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，因此设计简单？如果是电容式的，工业过程控制、可用于创建自定义 SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。无需在隔离侧使用单独的电源，
设计应根据载荷类型和特性进行定制。
